型号ISC011N06LM5
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

采用小型封装的 60V Optimos™ 5 逻辑电平功率 MOSFET

ISC011N06LM5 为采用 SuperSO8 封装的英飞凌 OptiMOS™ MOSFET，该器件进一步完善了 OptiMOS™ 5 和 3 产品系列，在增强稳健性之余，还提高了功率密度以满足对低系统成本和高性能的需求。

低反向恢复电荷 (Qrr) 可大幅降低电压过冲，提高系统可靠性，因此无需缓冲电路，降低了工程成本和工作量。

特征描述

  • 最大 RDS(on) 低至 1.15 MΩ，可显著提高功率密度和效率
  • 工作温度额定值升至 175°C，可靠性更强
  • RthJC 较低，热性能优异
  • 更低的反向恢复电荷 (Qrr)

优势

  • 更低的满载温度
  • 减少并联
  • 电压过冲降低
  • 系统功率密度增加
  • 小型封装
  • 降低系统成本
  • 降低工程成本和工作量

潜在应用

  • 服务器
  • 电信
  • 电动工具
  • 低压驱动器
  • D 类音频应用