型号ISC010N06NM5
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

SSO8 封装型 OptiMOS™ 5 单 N 沟道功率 MOSFET 60 V，1.05 mΩ，330 A

英飞凌 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 60 V 采用 SuperSO8 封装 (ISC010N06NM5)，具备低导通电阻 RDS(on)（25˚C 和 175˚C 下）和高连续电流（可达 330 A）。英飞凌 OptiMOS™ 3 和 5 产品系列新增 SuperSO8 封装型 OptiMOS™ MOSFET，器件功率密度和稳健性更高，可降低系统成本并增强性能。低反向恢复电荷 (Qrr) 将大幅降低电压过冲，因此无需使用吸收电路，进而可减少工程成本和工作量，提高系统可靠性。

特征描述

  • 极低的 RDS(on)（25˚C 下）
  • 低 RthJC
  • 低反向恢复电荷 (Qrr)
  • 工作温度可高达 175°C

优势

  • 低导通损耗、高功率密度和效率
  • 并联更少，可降低系统成本
  • 低电压过冲
  • 优异的热性能

潜在应用

  • 电信
  • 服务器
  • 电动工具
  • 低压驱动器
  • D 类音频、太阳能微逆变器等