型号ISC007N04NM6
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

采用 SuperSO8 封装的正常电平 40 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 应用了英飞凌新型技术

凭借先进的 40V OptiMOSTM6 正常电平功率MOSFET，英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth，这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。

此外，较低的 QGD/QGS 比（CGD/CGS 分压比）可降低栅极电压尖峰，从而进一步增强了抗意外导通的鲁棒性。ISC007N04NM6 具有非常低的 RDS(on) ，仅为 0.7mOhm。

特征描述

  • N 沟道增强型
  • 正常电平的栅极阈值（典型值为 2.3 V）
  • MSL1
  • 峰值回流温度高达 260°C
  • 175°C 的结温 (Tj)
  • 电荷比优化， QGD/QGS <0.8，具有C.dv/dt 抗扰能力
  • 低栅极电荷
  • 100% 经过雪崩测试
  • 出色的耐热性

优势

  • 正常电平栅极驱动可防止嘈杂环境中的错误导通
  • 栅极电荷降低，减少了开关损耗
  • 适用于 FOC (磁场定向控制)和 DTC (直接转矩控制)电机控制技术

潜在应用

  • 电池供电应用
  • 电池供电工具
  • 电池管理
  • 低压驱动器