型号ISC012N04NM6
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 40 V 正常电平，采用 SSO8 封装

ISC012N04NM6 是 BiCOptiMOS™6 40 VNL 产品系列的一部分，为正常电平（更高阈值电压）所需的应用提供标杆解决方案。

正常电平产品组合具备较高的 Vth，意味着更高的栅极电压尖峰值才会导致误开启。此外，较低的 QGD/QGS 比值（CGD/CGS 比值）可降低栅极电压的尖峰值，进而避免误开启。

特征描述

  • 正常电平栅极阈值（典型值 2.3 V）
  • 优化的电荷比 QGD/QGS<0.8，以获得 C.dv/dt 抗扰度
  • 低栅极电荷
  • 100% 经过雪崩测试
  • 出色的耐热性

优势

  • 在嘈杂的环境中，正常电平栅极驱动可以防止误开启
  • 降低栅极电压的尖峰值
  • 由于栅电荷低，降低了开关损耗
  • 鲁棒性
  • 适用于 FOC（磁场定向控制）和 DTC（直接转矩控制）电机控制技术

潜在应用

  • 电池供电应用
  • 电动工具
  • 电池管理
  • 低压驱动器