型号ISC012N04LM6
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平，采用 SuperSO8 封装

ISC012N04LM6 OptiMOSTM6 40V逻辑电平在分立功率 MOSFET 领域建立了新的技术标准。与其他替代产品相比，英飞凌领先的薄晶圆技术带来了显著的性能优势。

英飞凌的 OptiMOSTM 6 功率 MOSFET 40 V 系列产品针对各种应用和电路进行了优化， 例如，针对服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器等开关电源 (SMPS) 和ORing 电路进行优化。导通电阻(RDS(on)) 和品质因数 (FOM - RDS(on)x Qg和 Qgd)的改善使设计人员能够提高效率，简化热设计，减少并联，进而降低系统成本。

特征描述

  • 逻辑电平栅极驱动能力
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 175 °C 额定结温
  • 100% 经过雪崩测试
  • 符合 IEC61249-2-21 标准，无卤素
  • 针对同步应用进行优化

优势

  • 灵活的栅极驱动
  • 最高系统效率
  • 增加运行裕度
  • 稳健、可靠的性能
  • 环保型产品
  • 增加功率密度和极低的电压过冲

潜在应用

  • 电池供电应用
  • 电池供电工具
  • 电池管理
  • 低压驱动器