型号IQE013N04LM6CG
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

采用 PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate（源极底置门极中置）封装的 40V OptiMOS™ 低压功率 MOSFET，拥有业界领先的 RDS(on)

IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 扩展了英飞凌的创新型Source-Down 产品系列，采用 3.3x3.3 PQFN 封装。该功率 MOSFET 是同类中的佼佼者，突破业界目前的功率密度和形状因数，优化了终端用户的体验。

电动工具的设计目标之一便是有效减少 PCB 区域的内部限制，从而实现人体工程学设计并优化用户体验。将逆变器从手柄移到头部，可大幅度减少电动工具电机外壳的体积， 同时将工具的扭矩保持在较高水平，以便快速、轻松地进行操作。

特征描述

  • RDS(on) 大幅降低 25％
  • 二极管的结壳热阻（RthJC）展现出色的热性能
  • 可实现布局优化
  • 标准和门极中置封装

优势

  • 高电流能力
  • 更有效地利用 PCB 区域
  • 高功率密度和高性能
  • 优化了与门极中置版本并联的 MOSFET 封装

潜在应用

  • 驱动器
  • 开关式电源
    • 服务器
    • 通信
    • OR-ing