型号IQE008N03LM5
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

OptiMOS™ 低压功率 MOSFET 30 V 采用 PQFN 3.3x3.3 源极底置封装，具有行业领先的RDS(on) 和卓越的热性能

IQE008N03LM5 是英飞凌对创新性 源极底置技术的延伸。OptiMOS™5 30V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括电机驱动、 电信、SMPS 或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。

特征描述

  • 与现有技术相比，RDS(on) 大幅降低30%
  • 采用 PQFN 封装技术后RthJC 改善
  • 可获得标准栅极和置中栅极尺寸
  • 优化后的新布局

优势

  • 实现最高的功率密度和性能
  • 卓越的热性能
  • 优化布局，有效利用面积
  • 简化采用置中栅极尺寸的多个 MOSFET 并行配置
  • 降低 PCB 损失
  • 降低寄生参数

潜在应用

  • 电机驱动
  • SMPS
    • 服务器
    • 电信
    • OR-ing
  • 电池管理