型号IQE006NE2LM5CG
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

采用PQFN 3.3x3.3源极底置封装的OptiMOS™ 25V低压功率MOSFET具有业界领先的RDS(on)。

在英飞凌创新的源极底置技术下推出了OptiMOS™ 低压功率MOSFET（IQE006NE2LM5CG）中心门极封装版本。将门极放置在封装的中间位置，从而实现最佳的源极连接。由于中心门极具有更大的漏极至源极爬电距离，因此中心门极封装提供 MOSFET 优化且易于并联的优势。这样，即可在一个 PCB 层上连接多个设备的门极，从而提高电流能力，实现更高的输出电平。此外，源极底置中心门极封装提供高系统效率和高功率密度。

特征描述

  • 根据电压等级，RDS(on)降低高达30％
  • 卓越的热管理选项
  • 优化的布局可能性
  • 提供两个封装版本

优势

  • 更高的电流能力
  • 最高的功率密度和性能
  • 更小的外形尺寸
  • 以更小的封装提供与 Super SO8 相同的性能
  • 优化的 PCB 寄生元件
  • 更低的 RthJA 和 RthJC
  • 更佳的功率损耗转移
  • 支持双面冷却（外露夹子）
  • 源极底置封装易于适应现有 PCB
  • 中心门极选件实现优化的并联应用

潜在应用

  • 驱动器
  • 电信系统
  • SMPS
  • 服务器
  • Oring