型号FF2MR12W3M1H_B11
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

半桥1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy模块

EasyDUAL™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ半桥模块，采用具有增强型第一代沟槽技术的CoolSiC™ MOSFET、集成式NTC温度传感器和PressFIT 压接技术。

特征描述

  • 12mm高的同类最佳封装
  • 将先进的宽禁带WBG芯片和Easy模块封装相结合
  • 极低的模块杂散电感
  • 较低且一致的栅极电感
  • 非常对称的内部芯片布局
  • 较宽的反向偏置安全工作区（RBSOA）
  • 采用增强型第一代沟槽技术的1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • 扩大了推荐的栅极驱动电压窗口（+15…+18 V和0…-5 V）
  • 扩展了最大栅源电压（+23 V 和 -10 V）
  • 过载条件下， Tvjop高达175°C
  • PressFIT引脚

优势

  • 出色的模块效率，实现系统成本优化

  • 通过提高系统效率，降低冷却要求

  • 通过更高的频率，提升系统功率密度

  • 通过降低系统成本，实现最佳性价比

  • 减少了动态因素引起的漂移