型号IPD80P03P4L-07
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

特征描述

  • P 通道 - 正常电平 - 增强模式
  • AEC 认证
  • MSL1 峰值回流温度高达 260°C
  • 175°C 的工作温度
  • 环保封装（符合 RoHS）
  • 100% 经过雪崩测试
  • 用于反向电池保护

优势

  • 高边驱动无需电荷泵。
  • 简单的接口驱动电路
  • 30V 时， RDSon 为世界极低值
  • 极高的冲击电流能力
  • 极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率
  • 稳固的封装，出色的品质，高可靠性
  • 标准封装 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262

潜在应用

  • 用于电机桥的高边 MOSFET（半桥、H 桥、三相电机）
  • 采用30V P 通道作为高边器件，无需电荷泵即可实现桥配置

仿真/ SPICE-型号