型号IPD19DP10NM
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

正常电平 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂度

DPAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、负载开关和反极性保护应用的全新技术。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。此类产品可轻松连接 MCU，开关速度快且雪崩能力强，尤其适合质量要求高的应用。器件支持正常电平，具备较宽的 RDS(on) 范围和低 Qg，低负载下效率较高。

特征描述

  • 4 种不同标准封装可供选择
  • 较宽的 RDS(on) 范围
  • 支持正常电平和逻辑电平
  • 针对诸多应用领域进行优化

优势

  • 行业标准封装
  • 尤为适合高和低开关频率
  • 轻松连接至 MCU
  • 具备低 Qf，低负载下效率较高
  • 降低设计复杂度
  • 高能效

潜在应用

  • 电池管理
  • 工业自动化
  • 工业驱动器