型号UCC5880-Q1
品牌
分类隔离式栅极驱动器
描述具有高级保护功能的汽车类 20A 隔离式实时可变 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器
产品概述

参数

Number of channels 1
Isolation rating Reinforced
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000
Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071
Power switch IGBT, SiCFET
Peak output current (A) 20
Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI
Output VCC/VDD (max) (V) 30
Output VCC/VDD (min) (V) 12
Input VCC (min) (V) 3
Input VCC (max) (V) 5.5
TI functional safety category Functional Safety-Compliant
Propagation delay time (µs) 0.15
Input threshold CMOS
Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive
Bus voltage (max) (V) 1414
Rise time (ns) 55
Fall time (ns) 55
Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable

封装 | 引脚 | 尺寸

SSOP (DFC) 32 106.09 mm² 10.3 x 10.3

特性

  • 具有动态可编程驱动强度的双路输出分离驱动器
    • ±15A 和 ±5A 驱动电流输出
    • 用于在没有 SPI 时进行驱动强度调整的数字输入引脚 (GD*)
    • 3 电阻设置 R1、R2 或 R1||R2
    • 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 驱动器内核温度检测和过热保护
  • 短路保护:
    • 75ns 的过流事件响应时间
    • DESAT 保护 – 可承受高达 14V 的电压
    • 基于分流电阻器的过流保护
    • 可配置保护阈值和消隐时间
    • 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流
  • 集成 10 位 ADC
    • 电源开关温度, 驱动器内核温度, DESAT 引脚电压, VCC2 电压, 相电流, 直流链路电压
    • 可编程数字比较器
  • 高级 VCE/VDS 钳位电路
  • 符合功能安全标准
    • 专为功能安全应用开发
    • 有助于使 ISO 26262 系统设计符合 ASIL D 要求的文档
  • 集成型诊断:
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • 用于功率器件运行状况监测的栅极阈值电压测量
    • INP 至晶体管栅极路径完整性
    • 内部时钟监测
    • 故障警报和警告输出 (nFLT*)
    • ISO 通信数据完整性检查
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 100kV/µs CMTI
  • 安全相关认证:
    • 符合 UL1577 标准且长达 1 分钟的 5kVRMS 隔离(计划)
    • 符合 DIN VDE 0884-11 的增强型隔离 7070VPK:2017-01(计划)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B

说明

UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式可调压摆率栅极驱动器,专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护功能,例如基于分流电阻的过流保护、过热保护(PTC、NTC 或二极管)以及 DESAT 检测,包括在这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。为了进一步缩小应用尺寸,UCC5880-Q1 集成了可用的有源米勒钳位,以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。