MUG51TB9AE 为内建 Flash 的 1T 8051 内核低功耗微控制器，操作频率为 7.3728 MHz，内建 16 KB Flash 内存以及 1 KB SRAM 与 4 KB LDROM，工作电压范围 1.8V 至 5.5V，工作温度范围 - 40°C ~ 105°C，MUG51TB9AE 支持在上电后到 Flash 内存初始化完成前功耗约为 200 μA，其低功耗特性使其很适合用于从线圈磁场获得电源的无电池设备，例如透过电磁感应取得电源的触控笔或是 RFID 卡。 

MUG51TB9AE 特色为上电后到 Flash 内存初始化完成前功耗约为 200 μA，很适合用在透过电磁感应取得电源的触控笔或是 RFID 卡等应用，正常运行模式于 7.3728 MHz 时功耗小于 1.3 mA，掉电模式小于 1 μA。

MUG51TB9AE 提供丰富的周边接口，如 I/O 内建反向器、四组 16-bit 定时器、两组 UART、一组 ISO-7816 界面、一组 SPI、两组I²C、6 路 PWM、两组模拟比较器、8 通道 I/O 中断、低电压复位、欠压检测等来增加产品性能以及减少外围组件与尺寸