首页 Texas Instruments(德州仪器) 精密运算放大器 (Vos<1mV) OPA4H014-SEP
型号OPA4H014-SEP |
品牌 |
分类精密运算放大器 (Vos<1mV) |
描述采用空间增强型塑料的耐辐射 11MHz 低噪声精密 RRO JFET 放大器 |
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产品概述参数 Number of channels | 4 | Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) | 18 | Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) | 4.5 | Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) | 0.12 | GBW (typ) (MHz) | 11 | Slew rate (typ) (V/µs) | 20 | Rail-to-rail | Out | Offset drift (typ) (µV/°C) | 0.35 | Iq per channel (typ) (mA) | 1.8 | Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) | 5.8 | CMRR (typ) (dB) | 140 | Rating | Space | Operating temperature range (°C) | -55 to 125 | Input bias current (max) (pA) | 10 | Iout (typ) (A) | 0.03 | Architecture | FET | Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) | -0.1 | Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) | -3.5 | Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) | 0.2 | Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) | -0.2 | THD + N at 1 kHz (typ) (%) | 0.00005 |
封装 | 引脚 | 尺寸 TSSOP (PW) | 14 | 32 mm² 5 x 6.4 |
特性 - 抗辐射
- 单粒子锁定 (SEL) 对于 43MeV•cm2/mg 的抗扰度
- 在 30 krad(Si) 的条件下无 ELDRS
- 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 30 krad(Si)
- 增强型航天塑料
- Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层
- 采用增强型模塑化合物实现低释气
- 制造、组装和测试一体化基地
- 延长了产品生命周期
- 延长了产品变更通知周期
- 产品可追溯性
- 非常低的温漂:1 µV/°C(最大值)
- 极低的偏移:120 µV
- 低输入偏置电流:10 pA(最大值)
- 低噪声:5.1 nV/√Hz
- 压摆率:20 V/µs
- 低电源电流:2 mA(最大值)
- 输入电压范围包括 V– 电源
- 宽电源电压范围:4.5V 至 18V
说明 OPA4H014-SEP 是一款低功耗 JFET 输入运算放大器,具有良好漂移性能和较低的输入偏置电流。凭借其包括 V– 在内的输入范围和轨至轨输出,设计人员可以利用 JFET 放大器的低噪声特性,同时还可以连接到单电源精密模数转换器 (ADC) 和数模转换器 (DAC)。 OPA4H014-SEP 可实现 11MHz 单位增益带宽和 20V/µs 压摆率,同时仅消耗 1.8mA(典型值)的静态电流。此器件由 4.5V 至 18V 单电源或 ±2.25V 至 ±9V 双电源供电。 运算放大器采用 14 引脚塑料 TSSOP 封装,可抵御高达 43MeV•cm2/mg (SET) 的辐射,并且在高达 30krad(Si) 的条件下无 ELDRS |