型号JFE150
品牌
分类高性能晶体管
描述超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET
相关操作
产品概述

参数

Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.8
Breakdown voltage (V) 40
VDS (V) 40
VGS (V) -40
VGSTH typ (typ) (V) -1.2
Rating Catalog
Operating temperature range (°C) -40 to 125

封装 | 引脚 | 尺寸

SOT-SC70 (DCK) 5 2.5 mm² 2 x 1.25

特性

  • 超低噪声：
    • 电压噪声：
      • 1kHz 时为 0.8nV/√Hz，IDS = 5mA
      • 1kHz 时为 0.9nV/√Hz，IDS = 2mA
    • 电流噪声：1 kHz 时为 1.8fA/√Hz
  • 低栅极电流：10pA（最大值）

  • 低输入电容：VDS = 5V 时为 24pF

  • 高栅漏电压和栅源击穿电压：-40 V

  • 高跨导：68mS

  • 封装：小型 SC70 和 SOT-23（预发布）

说明

JFE150 是使用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 分立式 JFET。JFE150 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150 提供出色的噪声功率效率和灵活性，静态电流可由用户设置，并为 50µA 至 20mA 的电流提供出色的噪声性能。当偏置电流为 5mA 时，该器件会产生 0.8nV/√Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE150 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 + 125°C，并采用 5 引脚 SOT-23 和 SC-70 封装。