型号JFE2140
品牌
分类高性能晶体管
描述双路、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET
产品概述

参数

Vn at 1 kHz (nV√Hz) 0.9
Breakdown voltage (V) 40
VDS (V) 40
VGS (V) -40
VGSTH typ (typ) (V) 1.2
Rating Catalog
Operating temperature range (°C) -40 to 125

封装 | 引脚 | 尺寸

SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6

特性

  • 超低噪声:
    • 电压噪声:
      • 1 kHz 时为 0.9 nV/√Hz,IDS = 5 mA
      • 1 kHz 时为 1.1 nV/√Hz,IDS = 2mA
    • 电流噪声:1 kHz 时为 1.6 fA/√Hz
  • 低 VGS 失配:4 mV(最大值)
  • 低栅极电流:10 pA(最大值)
  • 低输入电容:VDS = 5V 时为 13 pF

  • 高栅漏电压和栅源击穿电压:-40 V

  • 高跨导:30 mS

  • 封装:SOIC,2mm × 2mm WSON(预发布)

说明

JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 匹配对分立式 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能,静态电流可由用户设置,范围为 50 µA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时,该器件会产生 0.9 nV/√Hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外,可按照 ±4 mV 测试 JFET 之间的匹配性,确保差分对配置具有低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。