型号TLV2314
品牌
分类通用运算放大器
描述双路、5.5V、3MHz、RRIO 运算放大器
相关操作
产品概述

参数

Number of channels 2
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.8
Rail-to-rail In, Out
GBW (typ) (MHz) 3
Slew rate (typ) (V/µs) 1.5
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3
Iq per channel (typ) (mA) 0.15
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 16
Rating Catalog
Operating temperature range (°C) -40 to 125
Offset drift (typ) (V/°C) 0.000002
Features Cost Optimized, EMI Hardened
CMRR (typ) (dB) 96
Iout (typ) (A) 0.02
Architecture CMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.2
Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.2
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.005
Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.005

封装 | 引脚 | 尺寸

SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9

特性

  • 低偏移电压：0.75mV（典型值）
  • 低输入偏置电流：1pA（典型值）
  • 宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V
  • 轨到轨输入和输出
  • 增益带宽：3MHz
  • 低 IQ：250µA/通道（最大值）
  • 低噪声：1kHz 时为 16nV/√Hz
  • 内部射频 (RF) / 电磁干扰 (EMI) 滤波器
  • 扩展温度范围： -40°C 至 +125°C

说明

TLV314 系列单通道、双通道和四通道运算放大器代表了新一代的低功耗、通用运算放大器。该系列器件具有轨到轨输入和输出摆幅 (RRIO)、低静态电流（5V 时的典型值为 150µA/通道）以及 3MHz 的高带宽等特性。 对于电池供电应用而言，一般要求性能和成本良好均衡， 此类放大器非常具有吸引力。此外，TLV314 系列架构可实现低至 1pA 的输入偏置电流，因此适用于 源阻抗 高达兆欧姆级别的应用。

TLV314 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用：单位增益稳定，具有 RRIO 和集成的 RF/EMI 抑制滤波器，容性负载最高达 300 pF，在过驱情况下不出现反相，并且带有高静电放电 (ESD) 保护（4kV HBM）。

此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。

TLV314（单通道）采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314（双通道）采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。