型号TLV2313-Q1
品牌
分类通用运算放大器
描述汽车级、双路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器
相关操作
产品概述

参数

Number of channels 2
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.8
Rail-to-rail In, Out
GBW (typ) (MHz) 1
Slew rate (typ) (V/µs) 0.5
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3
Iq per channel (typ) (mA) 0.065
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 26
Rating Automotive
Operating temperature range (°C) -40 to 125
Offset drift (typ) (V/°C) 0.000002
Features Cost Optimized, EMI Hardened
CMRR (typ) (dB) 85
Iout (typ) (A) 0.015
Architecture CMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.2
Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.2
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.075
Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.1

封装 | 引脚 | 尺寸

SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9

特性

  • 符合汽车应用要求 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C
      的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 面向成本敏感型系统的精密放大器
  • 低 IQ：每通道 65µA
  • 宽电源电压：1.8V 至 5.5V
  • 低噪声：1kHz 时为 26nV/√Hz
  • 增益带宽：1MHz
  • 轨到轨输入/输出
  • 低输入偏置电流：1pA
  • 低失调电压：0.75mV
  • 单位增益稳定
  • 内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器

说明

TLVx313-Q1 系列单通道和双通道运算放大器兼具低功耗和高性能优势。因此非常适合各种广泛的 应用， 如信息娱乐、引擎控制单元、汽车照明等。该系列 具有 轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流（典型值：65µA）、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声（1kHz 时为 26nV/√Hz）等特性，因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 非常有吸引力。此外，该系列器件具有低输入偏置电流，因此适用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。

TLVx313-Q1 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。这些器件在容性负载高达 100pF 的条件下具有单位增益稳定性，集成了 RFI/EMI 抑制滤波器，在过驱条件下无相位反转，并具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。

这些器件经过优化，适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的电压下工作，且额定的扩展工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

单通道 TLV313-Q1 器件采用 SC70-5 封装。双通道 TLV2313-Q1 器件采用 SOIC-8 (D) 和 VSSOP-8 (DGK) 封装。